山東大學(xué)晶體材料研究所導(dǎo)師--徐現(xiàn)剛簡介

主要從事化合物半導(dǎo)體材料（包括As, P, Sb 和 氮化物）的外延生長和器件應(yīng)用，以及寬禁帶半導(dǎo)體材料的生長和器件應(yīng)用研究。 

1992年獲山東大學(xué)凝聚態(tài)物理博士學(xué)位后留校工作；1995～2000年期間，先后留學(xué)德國、加拿大和美國。從事化合物半導(dǎo)體薄膜材料的生長和器件應(yīng)用；自2000年起，擔(dān)任山東大學(xué)特聘教授和山東華光光電子公司總工程師/常務(wù)副總。  自1989年開始從事化合物半導(dǎo)體材料（包括As, P, Sb 和 氮化物）的外延生長以及器件應(yīng)用的研究工作，同時(shí)于2002年開始從事SiC單晶生長的研究工作；先后已發(fā)表相關(guān)論文90多篇。  曾多次獲得獎(jiǎng)勵(lì)與榮譽(yù)：洪堡學(xué)者、山東省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)、英國工程師協(xié)會(huì)（IEEE）和美國工程師協(xié)會(huì)（IEEE）最佳論文獎(jiǎng)、國家杰出青年基金獲得者、山東省十大杰出青年、山東省留學(xué)回國創(chuàng)業(yè)獎(jiǎng)、國務(wù)院政府特殊津貼等。 

目前有在讀研究生9人，其中博士生4人，碩士生5人。2009年擬招收博士研究生2人。  博士生將適合教學(xué)、科研、和企業(yè)研發(fā)工作。從事的工作領(lǐng)域涉及：半導(dǎo)體材料的生長和器件應(yīng)用。 

自1989年開始從事化合物半導(dǎo)體材料（包括As, P, Sb 和 氮化物）的外延生長以及器件應(yīng)用的研究工作，同時(shí)于2002年開始從事SiC單晶生長的研究工作；先后已發(fā)表相關(guān)論文90多篇。  曾多次獲得獎(jiǎng)勵(lì)與榮譽(yù)：洪堡學(xué)者、山東省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)、英國工程師協(xié)會(huì)（IEEE）和美國工程師協(xié)會(huì)（IEEE）最佳論文獎(jiǎng)、國家杰出青年基金獲得者、山東省十大杰出青年、山東省留學(xué)回國創(chuàng)業(yè)獎(jiǎng)、國務(wù)院政府特殊津貼等。 

國家863計(jì)劃-SiC單晶襯底制備  山東省重大專項(xiàng)-基于SiC襯底的GaN發(fā)光二極管材料與管芯技術(shù)  國家杰出青年基金-MOCVD生長半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)及其器件應(yīng)用  科技攻關(guān)項(xiàng)目-Zn擴(kuò)散窗口工藝制備高可靠鎂摻雜AlInP包層半導(dǎo)體激光器 

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