山東大學晶體材料研究所導師--胡小波簡介

寬帶隙半導體單晶生長；晶體缺陷；同步輻射應用；X射線與電子衍射。

學習經(jīng)歷：1980---1984, 南昌大學物理系，學士；  1986---1989, 中國科學院金屬研究所，碩士；  1994---1997, 南京大學物理系，博士  1997---1999，山東大學晶體材料研究所，博士后  工作經(jīng)歷：1989-1994，南昌航空工業(yè)學院材料工程系，助教，講師；  1999-2001，山東大學晶體材料研究所，副教授；  2001-至今，山東大學晶體材料研究所，教授。  海外學習經(jīng)歷：2001.1— 2001.3,  美國阿崗國家實驗室，訪問學者； 2007.5-2007.11, 澳大利亞昆士蘭大學，高級研究學者。 

2009年招收博士生一名

國家自然科學基金：升華法生長AlN單晶；  教育部科技創(chuàng)新工程重大項目培育資金項目：SiC單晶的超精密加工；  國家863項目：SiC單晶襯底制備；  山東省科技攻關項目：半導體照明工程用芯片技術開發(fā)。 

與美國紐約州立大學石溪分校材料科學與工程系，聯(lián)合培養(yǎng)博士生一名。

E-mail:xbhu@sdu.edu.cn, Tel: 86-531-88366329, Fax: 86-531-88364260 
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